মোটর বিভিন্ন অংশ বিভিন্ন নকশা প্রয়োজনীয়তা আছে।
1. ইনপুট এবং স্তর স্থানান্তর বিভাগ:
ইনপুট সংকেত লাইন DATA দ্বারা প্রবর্তিত হয়, 1 পিন স্থল লাইন, এবং বাকি সংকেত লাইন। উল্লেখ্য যে 1 ফুট স্থল একটি 2 কে ওম প্রতিরোধক সংযুক্ত করা হয়। যখন ড্রাইভার বোর্ড এবং মাইক্রোকন্ট্রোলার আলাদাভাবে চালিত হয়, তখন এই প্রতিরোধক সংকেত বর্তমানের প্রবাহের জন্য একটি পথ সরবরাহ করতে পারে। যখন ড্রাইভার বোর্ড এবং মাইক্রোকন্ট্রোলার শক্তি সরবরাহের একটি সেট ভাগ করে, তখন এই প্রতিরোধক মাইক্রোকন্ট্রোলার বোর্ডের মাটিতে প্রবাহিত তারের বরাবর প্রবাহিত বড় স্রোতগুলিকে প্রতিরোধ করতে পারে। অন্য কথায়, এটি মাইক্রোকন্ট্রোলার স্থল লাইন থেকে "এক-পয়েন্ট গ্রাউন্ডিং" অর্জনের জন্য ড্রাইভার বোর্ডের স্থল লাইনকে আলাদা করার সমতুল্য।
হাই-স্পিড ওপ amp KF347 (TL084 হিসাবে উপলব্ধ) একটি তুলনাকারী হিসাবে কাজ করে যা ইনপুট লজিক সিগন্যালকে সূচক এবং একটি ডায়োড থেকে একটি 2.7V রেফারেন্স ভোল্টেজের সাথে তুলনা করে এবং এটি বিদ্যুৎ সরবরাহের কাছাকাছি একটি বর্গাকার তরঙ্গ সংকেততে রূপান্তরিত করে। ভোল্টেজ প্রশস্ততা। KF347 এর ইনপুট ভোল্টেজ পরিসীমা নেতিবাচক সরবরাহ ভোল্টেজের কাছাকাছি হতে পারে না অন্যথায় একটি ত্রুটি ঘটবে। অতএব, একটি ডায়োড যা ভোল্টেজ পরিসীমাকে অত্যধিক তরল থেকে আটকাতে পারে সেটি এপ amp এর ইনপুটে যোগ করা হয়। ইনপুট এ দুটি প্রতিরোধকগুলির মধ্যে একটিটি বর্তমান সীমাবদ্ধ করার জন্য ব্যবহৃত হয় এবং যখন ইনপুটটি ভাসমান থাকে তখন ইনপুটটিকে কমিয়ে আনতে ব্যবহার করা হয়।
LM339 বা অন্য কোনও ওপেন সার্কিট তুলনাকারী op amp এর পরিবর্তে ব্যবহার করা যাবে না, কারণ ওপেন-সার্কিট আউটপুটের উচ্চ-স্তরীয় আউটপুট প্রতিবন্ধকতা 1 কিলার উপরে এবং ভোল্টেজের ড্রপটি বড়, এবং পরবর্তী ট্রানজিস্টার মঞ্চ বন্ধ করা যাবে না।
2. গেট ড্রাইভ অংশ:
পিছন ট্রানজিস্টার এবং প্রতিরোধক এবং জেনার টিউব গঠিত বর্তনী আরও সংকেত বৃদ্ধি করে, FET এর গেট চালায় এবং FET নিজেই (প্রায় 1000pF) গেট ক্যাপ্যাসিট্যান্স ব্যবহার করে, উপরের এবং নীচের অংশগুলির FET বিলম্বিত করে। এইচ-সেতু। একযোগে চালান ("সাধারণ রাষ্ট্র চালান") পাওয়ার সাপ্লাই একটি সংক্ষিপ্ত বর্তনী কারণ।
যখন op amp এর আউটপুট কম হয় (প্রায় 1V থেকে 2V, এটি সম্পূর্ণরূপে শূন্য পৌঁছাতে পারে না), নিম্ন ট্রানজিস্টার বন্ধ হয়ে যায় এবং FET চালু হয়। উপরের ট্রানজিস্টার চালু করা হয়, FET বন্ধ করা হয়, এবং আউটপুট উচ্চ হয়। Op amp এর আউটপুট উচ্চ (আনুমানিক VCC- (1V থেকে 2V) এবং সম্পূর্ণরূপে VCC তে পৌঁছাতে পারে না), নিম্ন ট্রানজিস্টার চালু থাকে এবং FET বন্ধ থাকে। উপরের ট্রানজিস্টার বন্ধ করা হয়, FET চালু হয়, এবং আউটপুট কম।
উপরে বিশ্লেষণ স্ট্যাটিক হয়। নিম্নলিখিত সুইচিংয়ের গতিশীল প্রক্রিয়া নিয়ে আলোচনা করা হয়েছে: ট্রাইড-এর প্রতিরোধের পরিমাণ 2 কিলার চেয়েও কম, তাই ট্রানজিস্টারটি বন্ধ থেকে চালু হলে FET এর গেট ক্যাপ্যাসিট্যান্সের চার্জ দ্রুত মুক্তি পেতে পারে। দ্রুত বন্ধ। যাইহোক, ট্রানজিস্টারটি বন্ধ থেকে স্যুইচ করা হলে 2 কিলো রেজিস্টার দ্বারা ট্রানজিস্টারের জন্য নির্দিষ্ট সময় লাগবে। প্রাসঙ্গিকভাবে, FET বন্ধ থেকে শুরু করে দ্রুত হারে বন্ধ হয়ে যায়। একই সময়ে দুইটি ট্রয়েডের স্যুইচিং অ্যাকশনটি যদি একই সময়ে ঘটে তবে এই সার্কিটটি উপরের এবং নিম্ন অস্ত্র বিরতির FETs তৈরি করতে পারে এবং তারপরে সাধারণ-রাষ্ট্র সঞ্চালন ঘটনার অবসান ঘটায়।
আসলে, op amp এর আউটপুট ভোল্টেজ নির্দিষ্ট সময়ের জন্য পরিবর্তন করতে হবে। এই সময়, op amp এর আউটপুট ভোল্টেজ ইতিবাচক এবং নেতিবাচক সরবরাহ ভোল্টেজের মধ্যবর্তী মাঝখানে হয়। এই সময়ে, একই সময়ে দুটি ট্রানজিস্টর চালু করা হয় এবং একই সময়ে FET বন্ধ হয়ে যায়। সুতরাং প্রকৃত বর্তনী এই আদর্শ পরিস্থিতির চেয়ে নিরাপদ।
FET গেটের জন্য 12V জেনার ডায়োডটি FET গেট ওভারভোল্টেজ ভাঙ্গন প্রতিরোধে ব্যবহৃত হয়। সাধারণ FET গেটের ভোল্টেজ প্রতিরোধেরটি 18V বা 20V, এবং সরাসরি ভোল্টেজ 24V এ প্রয়োগ করা হবে। অতএব, এই জেনার ডায়োডটি একটি স্বাভাবিক ডায়োড দ্বারা প্রতিস্থাপিত করা যাবে না, তবে এটি 2 কিলার প্রতিরোধক দ্বারা প্রতিস্থাপিত করা যেতে পারে। 12V আংশিক চাপ।
3. ক্ষেত্র প্রভাব টিউব আউটপুট অংশ:
উচ্চ শক্তি FET তে, উৎস এবং ড্রেনের মধ্যে বিপরীত সমান্তরালে সংযুক্ত একটি ডায়োড রয়েছে। এইচ-ব্রিজের সাথে সংযুক্ত হওয়ার সময়, এটি আউটপুট টার্মিনালে ভোল্টেজ স্পাইকে বাদ দেওয়ার জন্য ব্যবহৃত চারটি ডায়োডের সমতুল্য। অতএব, কোন বহিরাগত ডায়োড নেই। আউটপুটে একটি ছোট ক্যাপাসিটরের সমান্তরাল সংযোগ (আউট 1 এবং আউট 2) এর মধ্যে মোটর দ্বারা উত্পাদিত শিখর ভোল্টেজ হ্রাসে কিছু সুবিধা রয়েছে। যাইহোক, PWM ব্যবহার করার সময় শিখর বর্তমানের একটি পার্শ্ব প্রতিক্রিয়া আছে, তাই ক্ষমতা খুব বড় হওয়া উচিত নয়। একটি নিম্ন শক্তি মোটর ব্যবহার করার সময় এই ক্যাপাসিটরের বাদ দেওয়া যেতে পারে। আপনি যদি এই ক্যাপাসিটরের যোগ করেন তবে আপনাকে অবশ্যই ভোল্টেজের উচ্চ প্রতিরোধের ব্যবহার করতে হবে, সাধারণ সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি শর্ট সার্কিটের মাধ্যমে বিরতি দিতে পারে।
একটি প্রতিরোধক এবং একটি হালকা নির্গমন ডায়োড এবং আউটপুট শেষে সমান্তরাল একটি ক্যাপাসিটরের গঠিত একটি সার্কিট মোটর ঘূর্ণন দিক নির্দেশ করে।
4. পারফরম্যান্স সূচক:
পাওয়ার সাপ্লাই ভোল্টেজ 15 ~ 30V, এবং সর্বাধিক ক্রমাগত আউটপুট বর্তমান 5A / প্রতি মোটর হয়। এটা পিডব্লিউএম ফ্রিকোয়েন্সি (সাধারণত 1 থেকে 10 কেজিএজে) এর মধ্যে স্বল্প সময়ের (10 সেকেন্ড) এবং 30 কেএজেজে 10 এ পৌঁছাতে পারে। সার্কিট বোর্ডে চারটি যৌক্তিক স্বাধীন ইউনিট রয়েছে, এবং আউটপুট টার্মিনালগুলিকে একটি এইচ-সেতু শক্তি সংযোজন ইউনিট রূপে সংযুক্ত করা হয়, যা সরাসরি সিঙ্গল-চিপ মাইক্রোপ্রম্পিউটার দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হতে পারে। মোটর এর দ্বিধাহীন ঘূর্ণন এবং গতি নিয়ন্ত্রণ অনুধাবন করুন।
5. তারের:
উচ্চ-বর্তমান লাইনটি যতটা সম্ভব সংক্ষিপ্ত এবং পুরু হওয়া উচিত এবং গর্তের মধ্য দিয়ে যাওয়ার পাশাপাশি এড়াতে চেষ্টা করুন। গর্ত মাধ্যমে পাস করা প্রয়োজন হলে, গর্ত মাধ্যমে বৃহত্তর (> 1 মিমি) করা এবং প্যাড উপর গর্ত মাধ্যমে একটি ছোট করা। সোলার ভর্তি, অন্যথায় এটি গাট্টা হতে পারে। উপরন্তু, একটি জেনার ডায়োড ব্যবহার করা হয়, FET উৎস শক্তি এবং স্থল জন্য সম্ভব যতটা সম্ভব সংক্ষিপ্ত এবং পুরু হতে হবে। অন্যথায়, উচ্চ বর্তমান সময়ে, কন্ডাক্টর জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপটি ইতিবাচক পক্ষপাতী নিয়ন্ত্রকের মধ্য দিয়ে যেতে পারে এবং চালু-অন ট্রানজিস্টার এটি পুড়ে যায়। প্রাথমিক নকশাতে, NMOS ট্রানজিস্টারের উত্সটি একবার সনাক্ত করার জন্য 0.15 ওহ্যাম প্রতিরোধকের সাথে সংযুক্ত ছিল। বোর্ডের ক্রমাগত বার্নে এই প্রতিবাদকারী প্রধান অপরাধী হয়ে ওঠে। অবশ্যই, যদি আপনি একটি প্রতিরোধক সঙ্গে ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রক প্রতিস্থাপন, কোন সমস্যা নেই। 2004 রবোকন প্রতিযোগিতায়, আমরা প্রধানত মোটর ড্রাইভের জন্য এই সার্কিট ব্যবহার করি।
