মোটর নিয়ন্ত্রক প্রযুক্তি উন্নয়ন প্রবণতা
4.1 উচ্চ নিরাপত্তা
টার্ক সুরক্ষা: এসবিসি + এমসিইউ পর্যবেক্ষণের আর্কিটেকচার, উচ্চ-ভোল্টেজ ব্যাকআপ পাওয়ার সাপ্লাই, নিরাপত্তা সংক্রান্ত ড্রাইভার চিপ, আইজিবিটি ফল্টের ব্যাপক নির্ণয়, স্বাধীন নিরাপত্তা শাটডাউন পথ, স্বাধীন ADC চ্যানেলের সমাধানকারী সংকেত ডিকোডিং, উচ্চমানের দুটি চ্যানেল উচ্চ- ভোল্টেজ নমুনা সার্কিট, বিভিন্ন মানের তিন ফেজ বর্তমান হল সেন্সর বাস্তবায়িত হয়।
4.2, উচ্চ EMC রেটিং
এখন দ্বিতীয় প্রজন্মের পণ্য শ্রেণী 3, শ্রেণী 4 এবং পরে EMC শ্রেণীকক্ষে করতে সক্ষম হতে পারে, ক্ষুদ্রতরকরণ এবং কম খরচের ব্যবস্থাগুলি প্রয়োজন। EMC কোর ব্রেকথ্রু উদ্ভাবন করা হয়েছে: ভাল ফিল্টারিং সমাধানগুলির সাথে, কম খরচ EMC ডিভাইস খরচ উচ্চ-স্তরের EMC প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। EMC যদি ক্লাস 5 এর প্রয়োজন হয় তবে ভলিউম অনুপাতটি 5% কম এবং খরচ 50RMB এর কম।
উন্নয়ন গবেষণা সামগ্রীর মধ্যে রয়েছে: "ইলেক্ট্রনিক কন্ট্রোল + মোটর" সিস্টেম ইএমসি সমাধান, কোর ডিভাইস ইএমসি বৈশিষ্ট্য গবেষণা এবং সমাধান, "ইলেক্ট্রনিক কন্ট্রোল + মোটর" সিস্টেম ইএমসি সিমুলেশন প্ল্যাটফর্ম।
4.3, উচ্চ চাপ
প্রধানত যাত্রী গাড়ির জন্য, বর্তমান ভোল্টেজ প্রায় 300-400V প্রায় হয়, এবং ভবিষ্যতে উচ্চ ভোল্টেজ হতে পারে। সুপার দ্রুত চার্জিং এবং পাওয়ার চাহিদা বৃদ্ধি বৈদ্যুতিক যানবাহন উচ্চ ভোল্টেজের জন্য অভ্যন্তরীণ ড্রাইভিং বাহিনী। যদি চার্জিং ভোল্টেজটি 400V থেকে 800V পর্যন্ত বাড়ানো হয় তবে চার্জিংয়ের সময় অর্ধেক কম করা যেতে পারে। এই টুকরা আপগ্রেড করা আবশ্যক, বৈদ্যুতিক যানবাহন ভবিষ্যতে জনপ্রিয় হয়ে ওঠে, এবং উচ্চ ভোল্টেজ উন্নয়ন একটি প্রবণতা। এই প্রবণতা অনুসারে, ইনভার্টার ডিজাইন 650V আইজিবিটি ডিজাইন থেকে 750V এবং 1200V আইজিবিটি পর্যন্ত স্থানান্তরিত হবে।
4.4, উচ্চ ক্ষমতা ঘনত্ব
প্যাকেজিংয়ের দৃষ্টিকোণ থেকে, প্রথাগত সহজে ব্যবহারযোগ্য মডিউলগুলি বর্গক্ষেত্র ইট, অতি-পাতলা আকার এবং অবশেষে খালি ডিবিসি / চিপ ফর্মগুলির প্রবণতা প্রবর্তিত হয়েছে। প্যাকেজ এর ভলিউম উপ-সমাবেশ সঙ্গে miniaturized করা হবে। 2018 বা ভবিষ্যতে, এটি 2013 আয়তন আকার 1/10 পৌঁছাতে পারে।
চিপ মাত্রা থেকে উচ্চ দক্ষতা এবং উচ্চ অপারেটিং জংশেশন তাপমাত্রা, যেমন E3 চিপ, অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা 150 ডিগ্রি সেলসিয়াস, ইডিটি 2 চিপ জংশেশন তাপমাত্রা 175 ডিগ্রি সেলসিয়াসে বাড়ানো যায়, সিআইসি সিলিকন কার্বাইড চিপ জংশেশন তাপমাত্রা 175 হতে পারে ° C, E2 যদি চিপ পাওয়ার হ্রাস 1 হয়, এবং পরবর্তী দুটি শক্তি ক্ষতি যথাক্রমে 0.8 এবং 0.3 থেকে 0.5 এর মধ্যে হয়। SiC ডিভাইসগুলির ব্যবহার উল্লেখযোগ্যভাবে স্যুইচিং ক্ষতি কমিয়ে দিতে পারে, সিস্টেম দক্ষতা উন্নত করতে পারে, মৃত সময় হ্রাস করতে পারে এবং সিস্টেম আউটপুট বৃদ্ধি করতে পারে। ব্যাটারি প্যাক এবং নিয়ামক সামগ্রিক বিবেচনার ভিত্তিতে, মোট খরচ 5% দ্বারা হ্রাস পেয়েছে, এবং ক্রুজিং পরিসীমা পুরো গাড়ির দৃষ্টিকোণ থেকে 10% বৃদ্ধি পেয়েছে। সামগ্রিক দক্ষতা SiC ডিভাইস ব্যবহার করে উন্নত করা যেতে পারে।
ডিভাইস উন্নয়ন এবং প্যাকেজিং প্রযুক্তির উন্নয়ন সঙ্গে, খরচ পূর্বাভাস ধীরে ধীরে হ্রাস করা হবে।
পণ্য মাত্রা শর্তাবলী, হিপোকোক্যাম্পাস সরবরাহের জন্য নিয়ামক 18kW / L অর্জন করতে পারে, এবং দ্বিতীয় যাত্রী গাড়ী নিয়ামক পাওয়ার শক্তি ঘনত্ব 26kW / L হতে পারে। সর্বশেষ যাত্রী গাড়ী নিয়ামক 35kW / এল করতে পারেন। ভবিষ্যতে, SiC উপকরণ 45 কিলোওয়াট / এল একটি শক্তি ঘনত্ব অর্জন আশা করা হয়।
4.5, ডিভাইস ইন্টিগ্রেশন এবং কাস্টমাইজেশন
কার্যকরীভাবে নিরাপদ, অত্যন্ত সংহত:
কার্যকরী নিরাপত্তা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি:
ড্রাইভ বিচ্ছিন্নতা আইসি: কার্যকরী নিরাপত্তা, উচ্চ ইন্টিগ্রেশন:
মডেল ক্যাপাসিটারগুলি অত্যন্ত কাস্টমাইজড হয়েছে, এমনকি মডেল ক্যাপাসিটারগুলিতে EMC সংহত করে। উদাহরণস্বরূপ, নিয়ামক এর EMC Y ক্যাপাসিটার, একটি পৃথক বোর্ড, ভবিষ্যতে একত্রিত করা হবে। এটি মোটর কন্ট্রোলার নিজেই, এবং ভবিষ্যত সিস্টেমটি ইন্টিগ্রেশন দিকেও চলছে।
আপনি একটি পাওয়ার টুল মোটর কিনতে চান, বিদ্যুৎ টুল ডিসি মোটর মনোযোগ দিতে দয়া করে।
